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无锡新杰能半导体有限公司 
| 联系人：王总 先生 (总经理) |
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| 电 话：82708075 |
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| 手 机：15961754900 |
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| 沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波 |
无锡新洁能功率半导体有限公司（NCE Power Semiconductor）是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。坐落于无锡（滨湖）国家传感信息中心。
目前专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售与服务。拥有自主知识产权和“新功率”“NCE Power”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。
公司主要团队人员是由志同道合的业界精英融合而成，其中不乏有功底深厚的20多年来，一直潜心于功率半导体领域、先后在国内著名企业、新家坡和德国等国外机构研发和工作的海归“科技领军与创业人才”；也有一批近10年经验的年青功率半导体工艺和器件专家。曾首创两项中国*一，即*先设计并大规模商业化的大功率Trench-MOSFET（用于各种电动车控制器、ＵＰＳ、汽车电子等领域）；*先设计四块Masks并大规模商业化的中、小功率Trench-MOSFET（广泛用于便携数码产品）并取得多项中国发明专利。现正刻苦创新，填补多项国内空白，并引领中国功率半导体器件工艺流程、器件结构和性能的创新、创优。
现公司10多款产品已处大生产状待，市场份额迅速扩大中。
NCE依托自身世界领先的设计技术并持续进步以及业界一流的芯片、封测技术的大力支持，够硬的产品应用能力，虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。
公司以“诚信”对待、忠诚服务一路相伴走来的所有客户和合作者，建立合作共赢的长期协作关系。 |
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